一種金屬埋層高散熱GaN二極管結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710768045.7 申請日 -
公開（公告）號 CN107634104A 公開（公告）日 2021-06-11
申請公布號 CN107634104A 申請公布日 2021-06-11
分類號 H01L29/872;H01L23/373;H01L23/367;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張敬偉;袁俊;李百泉;楊永江;孫安信;耿偉 申請（專利權(quán)）人 北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 北京中創(chuàng)陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 張宇鋒
地址 100176 北京市大興區(qū)經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)通惠干渠路17號院
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種金屬埋層高散熱GaN二極管結(jié)構(gòu)及其制備方法，該GaN二極管結(jié)構(gòu)的GaN外延層與襯底之間設(shè)置有金屬埋層，所述金屬埋層為三層金屬導(dǎo)熱層。本申請利用金屬導(dǎo)熱率高特點，結(jié)合Bonding技術(shù)在襯底和GaN之間制作一層具有高導(dǎo)熱性質(zhì)的金屬，解決了GaN器件的散熱問題。