一種新型半導(dǎo)體單晶片位錯(cuò)密度檢測(cè)腐蝕工裝及方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010502354.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113122929A 公開（公告）日 2021-07-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN113122929A 申請(qǐng)公布日 2021-07-16
分類號(hào) C30B33/10（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 韋玉平;楊麗雯;陳穎超;靳麗婕;程章勇;李百泉;何麗娟;張?jiān)苽?李天運(yùn) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 100176北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)通惠干渠路17號(hào)院
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開了一種碳化硅晶片腐蝕方法和裝置。所述方法包括如下步驟：S1、腐蝕液制備；S2、將所述晶片夾具掛至升降掛鉤上；S3、預(yù)熱；S4、腐蝕；S5、冷卻及處理晶片。在所述腐蝕方法中可根據(jù)晶片尺寸及預(yù)估晶片質(zhì)量及缺陷密度進(jìn)行不同時(shí)長(zhǎng)的預(yù)熱、腐蝕和冷卻。不限于以提拉桿、步進(jìn)電機(jī)配合三軸移動(dòng)等，實(shí)現(xiàn)上下、左右方向的夾具移動(dòng)。本發(fā)明同時(shí)公布了一種包含晶片夾具、籃組合的腐蝕工裝，可用于手持及提拉腐蝕，使獲取腐蝕片的過(guò)程更加安全，降低操作難度。本發(fā)明裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作穩(wěn)定，腐蝕方法同時(shí)具備可調(diào)整的靈活性、易于實(shí)現(xiàn)等優(yōu)點(diǎn)，預(yù)熱和注意溫差的冷卻則可有效降低大尺寸晶片碎裂的可能。