一種生長低碳包裹物大尺寸高純單晶的裝置及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010502356.0 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN113122921A 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號(hào) CN113122921A 申請公布日 2021-07-16
分類號(hào) C30B29/36（2006.01）I;C30B15/10（2006.01）I;B32B9/00（2006.01）I;B32B9/04（2006.01）I;B32B15/00（2006.01）I;B32B3/08（2006.01）I;B32B38/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 楊麗雯;程章勇;何麗娟;張?jiān)苽?陳穎超;李天運(yùn);韋玉平;李百泉;靳麗婕;王麗君 申請（專利權(quán)）人 北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 100176北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)通惠干渠路17號(hào)院
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種生長低碳包裹物大尺寸高純單晶的裝置及方法，在坩堝內(nèi)壁使用三層隔離層，與坩堝壁接觸層為錸（Re）金屬，該層可避免保護(hù)層碳化失效。中間層為過渡元素（Ta,Zr,Ti,Nb,Os,W,Mo,Y）碳化物的一種，該層可吸附多余碳（C）源。與料源接觸的最外層用釔（Y）金屬，可除去氮原子及后續(xù)產(chǎn)生的過量的C。該生長方法在低溫階段慢速升溫并反復(fù)抽真空，隨即升壓快速升溫到生長溫度，在生長恒溫上半段控制氬氣流量及壓力。通過降低堝位，使高溫位從料源底部移到料源上部。下半段生長前，升壓降溫反復(fù)抽真空，生長下半段維持坩堝位置不變及小梯度，直到晶體生長完成。該方法可有效減少高純晶體中C包裹物及N摻雜的濃度。