一種MEMS壓阻式加速度傳感器及其加工方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201510863889.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN105353167B | 公開(公告)日 | 2019-02-01 |
申請公布號 | CN105353167B | 申請公布日 | 2019-02-01 |
分類號 | G01P15/12 | 分類 | 測量;測試; |
發(fā)明人 | 周志健;朱二輝;陳磊;楊力建;鄺國華 | 申請(專利權(quán))人 | 上海芯赫科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | 廣東合微集成電路技術(shù)有限公司 |
地址 | 523808 廣東省東莞市松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)新竹路4號新竹苑6幢辦公501 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開一種MEMS壓阻式加速度傳感器,包括襯底硅以及用于形成加速度傳感器的頂層硅,所述襯底硅與所述頂層硅相對絕緣設(shè)置,所述頂層硅遠離所述襯底硅的一側(cè)為晶圓表面,所述晶圓表面并位于所述加速度傳感器外部設(shè)置有電隔離溝槽,在所述頂層硅上并設(shè)置有連通所述晶圓表面以及所述襯底硅的導電結(jié)構(gòu),襯底硅與加速度傳感器構(gòu)成機械可動電容結(jié)構(gòu);通過設(shè)計一種MEMS壓阻式加速度傳感器,其可以通過靜電力使加速度傳感器產(chǎn)生變形而引起壓阻結(jié)構(gòu)電阻值得變化,進而產(chǎn)生輸出信號,從而實現(xiàn)晶圓級自檢測功能,降低傳感器檢測成本。本發(fā)明還公開一種MEMS壓阻式加速度傳感器的加工方法,用于加工如上所述的MEMS壓阻式加速度傳感器。 |
