一種MEMS加速度傳感器及制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610312471.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN106018879B 公開（公告）日 2019-03-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN106018879B 申請(qǐng)公布日 2019-03-22
分類號(hào) G01P15/08（2006.01）I; B81B3/00（2006.01）I; B81C1/00（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 周志健; 朱二輝; 陳磊; 楊力建; 鄺國華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海芯赫科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 廣東合微集成電路技術(shù)有限公司
地址 523808 廣東省東莞市松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)新竹路4號(hào)新竹苑6幢辦公501
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及傳感器加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及基于MEMS加工工藝制成的MEMS加速度傳感器，包括硅襯底、硅襯底中的第一預(yù)定空腔及第一預(yù)定空腔上方的懸空硅膜、至少一個(gè)第二預(yù)定空腔及其第二預(yù)定空腔上方的懸空硅膜、半導(dǎo)體摻雜電阻，半導(dǎo)體摻雜與導(dǎo)電線電連接；于第一預(yù)定空腔上方形成第一連接件、第一釋放槽，于第二預(yù)定空腔上方形成限位擋板、第二釋放槽、第二連接件，第一釋放槽結(jié)合第二釋放槽形成一懸空釋放結(jié)構(gòu)；其中，限位擋板一端連接硅襯底，另一端自由懸空，第一連接件、第二連接件一端與硅襯底連接，另一端和第一預(yù)定空腔上方的懸空硅膜連接，通過懸空釋放結(jié)構(gòu)中的限位擋板實(shí)現(xiàn)精確的限位過載保護(hù)目的，結(jié)構(gòu)簡單，且易于加工。