一種多晶硅作為源區(qū)的溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921016229.9 申請日 -
公開（公告）號 CN210200737U 公開（公告）日 2020-03-27
申請公布號 CN210200737U 申請公布日 2020-03-27
分類號 H01L29/04;H01L29/08;H01L29/16;H01L29/78;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 代萌;李承杰;顧嘉慶 申請（專利權(quán)）人 上海格瑞寶電子有限公司
代理機構(gòu) 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 南霆
地址 200131 上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)盛夏路560號904室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種多晶硅作為源區(qū)的溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)及其制備方法，MOSFET結(jié)構(gòu)，包括基片和外延層，且外延層上淀積有重?fù)诫s多晶硅層形成源區(qū)，外延層內(nèi)設(shè)有溝槽，溝槽內(nèi)部和側(cè)壁上淀積有柵氧化物層，且外延層內(nèi)部的柵氧化層的厚度小于源區(qū)內(nèi)的柵氧化物層的厚度。本實用新型的優(yōu)點是：比傳統(tǒng)MOSFET整個工藝流程更為簡單，通過淀積多晶硅形成的源區(qū)寬度更易控制，增強了的源區(qū)的可靠性，且不會影響溝道長度。