一種深淺溝槽的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921015706.X 申請日 -
公開（公告）號 CN210837711U 公開（公告）日 2020-06-23
申請公布號 CN210837711U 申請公布日 2020-06-23
分類號 H01L21/8234(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 代萌;李承杰;顧嘉慶 申請（專利權(quán)）人 上海格瑞寶電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 南霆
地址 200131上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)盛夏路560號904室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開一種深淺溝槽的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管及其制備方法，深淺溝槽的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管包括垂直相交的深溝槽和淺溝槽，深溝槽和淺溝槽側(cè)壁和底部均生長有一層氧化層，內(nèi)部填充有多晶硅。本實(shí)用新型提出了一種立體的三維結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)高擊穿電壓，低開啟電壓的特性。包括垂直相交的深淺溝槽，整個(gè)溝槽制備過程無需增加光刻板以及多次淀積、刻蝕去實(shí)現(xiàn)溝槽內(nèi)部復(fù)雜的構(gòu)造，制備流程更簡潔，工藝更易控制。??