一種SGT-MOSFET及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110653721.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113471078A 公開（公告）日 2021-10-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN113471078A 申請(qǐng)公布日 2021-10-01
分類號(hào) H01L21/336（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高學(xué);代萌 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海格瑞寶電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京智托寶知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉奕彤
地址 200135上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)盛夏路560號(hào)904室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種SGT?MOSFET及其制造方法，在基片外延層上淀積掩蔽層，光刻深溝槽；掩蔽層去除，生長(zhǎng)場(chǎng)氧化層，淀積屏蔽柵多晶硅；屏蔽柵多晶硅回刻，光刻淺溝槽；場(chǎng)氧化層光刻，形成柵溝槽，生長(zhǎng)柵氧化層，淀積柵極多晶硅以及回刻，進(jìn)行后續(xù)制作。本發(fā)明采用新的制造方法連出屏蔽柵多晶硅和柵極多晶硅接觸孔。本發(fā)明采用的制造方法未涉及屏蔽柵多晶硅和柵極多晶硅的光刻工藝，屏蔽柵多晶硅和柵極多晶硅經(jīng)刻蝕后與硅襯底表面基本齊平；因此消除了多晶硅的高度差，同時(shí)很好地在屏蔽柵多晶硅和柵極多晶硅上打孔而不會(huì)產(chǎn)生屏蔽柵多晶硅和柵極多晶硅橋接的風(fēng)險(xiǎn)。