一種MOSFET終端結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011002666.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112242446A 公開（公告）日 2021-01-19
申請公布號 CN112242446A 申請公布日 2021-01-19
分類號 H01L29/78(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 代萌;李承杰;顧嘉慶 申請（專利權(quán)）人 上海格瑞寶電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 林怡妏
地址 200135上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)盛夏路560號904室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種MOSFET終端結(jié)構(gòu)及其制備方法，包括終端分壓區(qū)，所述終端分壓區(qū)內(nèi)設(shè)有若干的溝槽，所述終端分壓區(qū)的溝槽中靠近元胞區(qū)由內(nèi)向外所所述溝槽深度逐漸加深，溝槽間距逐漸增大。與一般溝槽MOS終端結(jié)構(gòu)若干個分壓溝槽等深度等間距排列相比，本發(fā)明對終端分壓溝槽間距進(jìn)行調(diào)整，優(yōu)化電場分布，提升器件耐壓。終端溝槽中靠近元胞區(qū)由內(nèi)向外前幾個溝槽深度逐漸加深，溝槽間距逐漸增大，將原本外部截止環(huán)溝槽的大電場，轉(zhuǎn)移至內(nèi)部分壓溝槽處，從而提升整個器件的擊穿電壓。從仿真結(jié)果來看，對于100V產(chǎn)品，擊穿電壓能得到20％左右的提升。??