一種新型左右結(jié)構(gòu)金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202121309163.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN215266311U 公開(kāi)（公告）日 2021-12-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN215266311U 申請(qǐng)公布日 2021-12-21
分類(lèi)號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 高學(xué);代萌 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 上海格瑞寶電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京智托寶知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉奕彤
地址 200135上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)盛夏路560號(hào)904室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種新型左右結(jié)構(gòu)金屬?氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，外延圓片上光刻有深溝槽，深溝槽之間設(shè)置有淺溝槽，深溝槽上下兩端生長(zhǎng)場(chǎng)氧化層；深溝槽中間位置淀積屏蔽柵多晶硅，屏蔽柵多晶硅上端光刻有接觸孔，屏蔽柵多晶硅左右兩端淀積柵極多晶硅。外延圓片設(shè)置有低電阻率基片和特定電阻率外延層，場(chǎng)氧化層位于深溝槽側(cè)壁、底部以及外延圓片表面。本實(shí)用新型為一種新的左右結(jié)構(gòu)金屬?氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可消除多晶硅的高度差，同時(shí)很好地在屏蔽柵多晶硅和柵極多晶硅上打孔而不會(huì)產(chǎn)生屏蔽柵多晶硅和柵極多晶硅橋接的風(fēng)險(xiǎn)。本實(shí)用新型可以連出屏蔽柵多晶硅和柵極多晶硅接觸孔。