多晶硅作為源區(qū)的溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910589417.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110197791A 公開(kāi)（公告）日 2019-09-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN110197791A 申請(qǐng)公布日 2019-09-03
分類(lèi)號(hào) H01L21/336（2006.01）I; H01L29/04（2006.01）I; H01L29/08（2006.01）I; H01L29/16（2006.01）I; H01L29/78（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 代萌; 李承杰; 顧嘉慶 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 上海格瑞寶電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京國(guó)昊天誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 南霆
地址 200131 上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)盛夏路560號(hào)904室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了多晶硅作為源區(qū)的溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)及其制備方法，MOSFET結(jié)構(gòu)，包括基片和外延層，且外延層上淀積有重?fù)诫s多晶硅層形成源區(qū)，外延層內(nèi)設(shè)有溝槽，溝槽內(nèi)部和側(cè)壁上淀積有柵氧化物層，且外延層內(nèi)部的柵氧化層的厚度小于源區(qū)內(nèi)的柵氧化物層的厚度。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：比傳統(tǒng)MOSFET整個(gè)工藝流程更為簡(jiǎn)單，通過(guò)淀積多晶硅形成的源區(qū)寬度更易控制，增強(qiáng)了的源區(qū)的可靠性，且不會(huì)影響溝道長(zhǎng)度。