一種溝槽金屬－氧化物半導(dǎo)體

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201720377915.3 申請日 -
公開（公告）號 CN206697482U 公開（公告）日 2017-12-01
申請公布號 CN206697482U 申請公布日 2017-12-01
分類號 H01L29/40(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高盼盼;代萌;李承杰 申請（專利權(quán)）人 上海格瑞寶電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中國商標(biāo)專利事務(wù)所有限公司 代理人 王瑞
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)盛夏路560號905B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種溝槽金屬－氧化物半導(dǎo)體,包括：柵極溝槽，所述柵極溝槽的底部及側(cè)壁上淀設(shè)有柵氧化物層，且柵極溝槽槽壁下半部及底部的柵氧化物層的厚度相同且厚于柵極溝槽頂部的柵氧化物層。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是：溝槽的形成只通過一步刻蝕完成，只刻蝕一次外延層，光刻時(shí)通過調(diào)節(jié)光源能量，采用光刻膠半曝光的方法在溝槽內(nèi)生成厚度不同的氧化層，簡化了傳統(tǒng)制備方法中采用復(fù)合阻擋層然后通過兩次刻蝕形成溝槽的方法，簡化了工藝步驟，提高了制備效率。