一種改善POFV工藝阻抗均勻性的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110641139.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113365431A 公開（公告）日 2021-09-07
申請公布號 CN113365431A 申請公布日 2021-09-07
分類號 H05K3/18（2006.01）I;H05K3/02（2006.01）I;H05K3/42（2006.01）I 分類 其他類目不包含的電技術(shù);
發(fā)明人 劉文敏;李艷國;李飛;陳鐘俊 申請（專利權(quán)）人 泰和電路科技（惠州）有限公司
代理機構(gòu) 深圳市興科達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張德興
地址 516000廣東省惠州市仲愷高新技術(shù)開發(fā)區(qū)平南工業(yè)區(qū)48號小區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種改善POFV工藝阻抗均勻性的方法，該方法包括如下步驟：前流程→一次鉆孔→沉銅→一銅→鍍孔干膜→鍍孔→退膜→樹脂塞孔→一次陶瓷磨板→減薄銅→二次陶瓷磨板→二次鉆孔→沉銅→二次VCP→電鍍后磨板→干膜→蝕刻→后工序。本發(fā)明的有益效果：改善POFV工藝因銅厚不均造成蝕刻不凈、阻抗控制精度問題。