一種量子微納結(jié)構(gòu)光電子芯片及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110501408.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113241395A 公開（公告）日 2021-08-10
申請公布號 CN113241395A 申請公布日 2021-08-10
分類號 H01L33/04;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/20;H01L33/00;H01L33/32;H01S5/34;H01S5/343;B82Y40/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王曉波;沈洋;王楠 申請（專利權(quán)）人 西安瑞芯光通信息科技有限公司
代理機構(gòu) 北京盛凡智榮知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 范琳
地址 710065 陜西省西安市高新區(qū)高新路36號A1號樓二層C15室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開的屬于半導(dǎo)體電子信息領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種量子微納結(jié)構(gòu)光電子芯片及其制造方法，包括基底，所述基底的上方設(shè)置有發(fā)光區(qū)，所述發(fā)光區(qū)的上方設(shè)置有量子微納結(jié)構(gòu)區(qū)，所述量子微納結(jié)構(gòu)區(qū)的上方設(shè)置有覆蓋區(qū)，所述發(fā)光區(qū)從下到上依次包括AlN層、AlGaN層、SL底層和光亮層，所述量子微納結(jié)構(gòu)區(qū)包括組合包層，所述組合包層的上下側(cè)均設(shè)置有量子限制包層，下側(cè)所述量子限制包層的下側(cè)設(shè)置有限制層，通過采用量子三維微納結(jié)構(gòu)和特殊設(shè)計的限制層和量子限制包層，然后利用先進的電子束直寫技術(shù)結(jié)合特殊外延生長結(jié)構(gòu)，能夠極大的優(yōu)化和提升光電子芯片發(fā)光區(qū)的光子復(fù)合效率，進而提升電光效率和發(fā)光功率。