一種大功率垂直結(jié)構(gòu)紫外LED芯片的設(shè)計(jì)和制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110162460.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112786752A 公開（公告）日 2021-05-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN112786752A 申請(qǐng)公布日 2021-05-11
分類號(hào) H01L33/20;H01L33/12;H01L33/10;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王曉波 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安瑞芯光通信息科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京盛凡佳華專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 孫瑞峰
地址 710065 陜西省西安市高新區(qū)高新路36號(hào)A1號(hào)樓二層C15室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開的屬于半導(dǎo)體電子信息技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種大功率垂直結(jié)構(gòu)紫外LED芯片的設(shè)計(jì)和制作方法，該大功率垂直結(jié)構(gòu)紫外LED芯片的設(shè)計(jì)如下：采用藍(lán)寶石襯底作為生長(zhǎng)基底，進(jìn)行異質(zhì)外延生長(zhǎng)，運(yùn)用MOCVD技術(shù)來完成整個(gè)外延過程，藍(lán)寶石襯底采用圖像化襯底，即PSS襯底,本襯底采用特殊設(shè)計(jì)，為頂角120°三棱錐結(jié)構(gòu)，可以極大程度的提升光的發(fā)射效率，以及特殊的表面納米壓印和雙層圖形化微納處理，極大的提升紫外光LED的輻射功率和出光效率，改善電流擴(kuò)散效率和芯片的散熱能力，從而可以提升芯片的制作尺寸，有效的改善了紫光LED器件的可靠性，能夠大規(guī)模適合工業(yè)級(jí)應(yīng)用。