一種基于化合物半導(dǎo)體材料紫外VCSEL芯片及制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110347187.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113140960A 公開(kāi)（公告）日 2021-07-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN113140960A 申請(qǐng)公布日 2021-07-20
分類號(hào) H01S5/183;H01S5/343 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王曉波 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安瑞芯光通信息科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京盛凡佳華專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王翠
地址 710065 陜西省西安市高新區(qū)高新路36號(hào)A1號(hào)樓二層C15室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)的屬于半導(dǎo)體電子信息技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種基于化合物半導(dǎo)體材料紫外VCSEL芯片及制作方法，包括基底，所述基底的上方設(shè)置有外延層，所述外延層的上方設(shè)置有發(fā)光層，所述外延層包括低溫AlN層，所述低溫AlN層的上方設(shè)置有高溫AlN層，所述高溫AlN層的上方設(shè)置有含硅層，所述含硅層的上方設(shè)置有重硅層，所述發(fā)光層包括摻硅層，所述摻硅層的上方設(shè)置有超晶格層，本發(fā)明設(shè)計(jì)的芯片通過(guò)外延和芯片生長(zhǎng)制作技術(shù)進(jìn)行制造，能夠得到波長(zhǎng)在200～280nm的UVC波段紫外光VCSEL，突破和克服了200nm以上的UVC波段VCSEL芯片制作難題和發(fā)光效率難題。