一種大功率紫外LED的外延設(shè)計和生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110163226.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112909134A 公開（公告）日 2021-06-04
申請公布號 CN112909134A 申請公布日 2021-06-04
分類號 H01L33/00;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王曉波 申請（專利權(quán)）人 西安瑞芯光通信息科技有限公司
代理機構(gòu) 北京盛凡佳華專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 孫瑞峰
地址 710065 陜西省西安市高新區(qū)高新路36號A1號樓二層C15室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開的屬于半導(dǎo)體電子信息技術(shù)領(lǐng)域，該大功率紫外LED的外延設(shè)計具體如下：采用藍寶石或者硅襯底作為生長基底，進行異質(zhì)外延生長，運用MOCVD技術(shù)來完成整個外延過程，在藍寶石或者硅沉底上生長一層低溫AlN層，繼續(xù)生長一層高溫AlN層，接著生長一層低溫BAlN，再生長一層高溫BAlN層，然后再生長幾個周期BAlN/BAlGaN超晶格結(jié)構(gòu)，繼續(xù)生長一層n形摻雜的AlGaN,接著生長一層AlGaN/BAlN量子阱量子阱結(jié)構(gòu)有源區(qū),接著生長一層p型BAlGaN層，有效提高了發(fā)光效率、降低了制備成本和難度，提高了成品率。