一種大功率紫外LED的外延設(shè)計(jì)和生長方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110163226.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112909134A 公開（公告）日 2021-06-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN112909134A 申請(qǐng)公布日 2021-06-04
分類號(hào) H01L33/00;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王曉波 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安瑞芯光通信息科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京盛凡佳華專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 孫瑞峰
地址 710065 陜西省西安市高新區(qū)高新路36號(hào)A1號(hào)樓二層C15室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開的屬于半導(dǎo)體電子信息技術(shù)領(lǐng)域，該大功率紫外LED的外延設(shè)計(jì)具體如下：采用藍(lán)寶石或者硅襯底作為生長基底，進(jìn)行異質(zhì)外延生長，運(yùn)用MOCVD技術(shù)來完成整個(gè)外延過程，在藍(lán)寶石或者硅沉底上生長一層低溫AlN層，繼續(xù)生長一層高溫AlN層，接著生長一層低溫BAlN，再生長一層高溫BAlN層，然后再生長幾個(gè)周期BAlN/BAlGaN超晶格結(jié)構(gòu)，繼續(xù)生長一層n形摻雜的AlGaN,接著生長一層AlGaN/BAlN量子阱量子阱結(jié)構(gòu)有源區(qū),接著生長一層p型BAlGaN層，有效提高了發(fā)光效率、降低了制備成本和難度，提高了成品率。