一種紫外LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110523507.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113140657A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113140657A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-20 |
| 分類號(hào) | H01L33/06;H01L33/08;H01L33/00 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王曉波 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 西安瑞芯光通信息科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京慕達(dá)星云知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 崔自京 |
| 地址 | 710000 陜西省西安市高新區(qū)科技三路融城云谷B座12樓1206E | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種紫外LED外延結(jié)構(gòu)，包括襯底、及從下至上依次位于襯底上的低溫AlN層、高溫AlN層、本征AlGaN層、摻雜硅烷的n型AlGaN層、摻雜硅烷的n摻雜AlGaN/AlN超晶格層、量子阱區(qū)?1、超晶格SL區(qū)?1、量子阱區(qū)?2、超晶格SL區(qū)?2、量子阱區(qū)?3、超晶格SL區(qū)?3、量子阱區(qū)?n、超晶格SL區(qū)?n、p型AlGaN層和摻雜鎂的p++型BAlGaN層，通過(guò)本發(fā)明的設(shè)計(jì)和生長(zhǎng)方法，能夠滿足現(xiàn)實(shí)應(yīng)用中對(duì)于各種紫外波段需求的集成統(tǒng)一，很大程度簡(jiǎn)化了后續(xù)封裝步驟，并且提高了芯片的整體可靠性，實(shí)現(xiàn)了一芯多用的功能。 |
