OTP存儲器中雜散寄生電荷的清除方法和OTP存儲器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310119745.5 申請日 -
公開（公告）號 CN103219045A 公開（公告）日 2013-07-24
申請公布號 CN103219045A 申請公布日 2013-07-24
分類號 G11C17/18(2006.01)I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 彭澤忠;方中岳;張強 申請（專利權(quán)）人 成都凱路威電子有限公司
代理機構(gòu) 成都惠迪專利事務所 代理人 成都凱路威電子有限公司
地址 610041 四川省成都市高新區(qū)府城大道西段399號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 OTP存儲器中雜散寄生電荷的清除方法和OTP存儲器，涉及集成電路技術。本發(fā)明的方法包括下述步驟：1）通過在行控制線上施加行控制信號選中目標存儲單元所在的行；2）通過對設置于列檢測線和檢測放大器之間的列開關管[K1]施加列控制信號選中目標存儲單元所在的列；3）通過對接地開關[K2]施加接地控制信號使目標存儲單元的第一晶體管的源極接地；4）在目標存儲單元的第一晶體管的柵極施加晶體管控制信號，開啟第一晶體管，清除目標節(jié)點的雜散電荷；行控制信號、列控制信號、晶體管控制信號、接地控制信號中的至少一個信號為脈沖信號。本發(fā)明的核心區(qū)域的版面尺寸大大縮小，運行的功耗非常低，特別適用于超高頻RFID。