一種提高發(fā)光效率的LED外延片制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201610277446.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN105895751B | 公開（公告）日 | 2018-09-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN105895751B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-09-25 |
| 分類號(hào) | H01L33/00 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 何苗;黃波;陳雪芳;劉翠;鄭樹文;李述體 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 嘉興裕商企業(yè)管理有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 華南師范大學(xué);陜西專壹知識(shí)產(chǎn)權(quán)運(yùn)營(yíng)有限公司;廈門恒宇星光電科技有限公司;嘉興晶晨環(huán)?？萍加邢薰?/td> |
| 地址 | 510630 廣東省廣州市天河區(qū)中山大道西55號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種提高發(fā)光效率的LED外延片制備方法，包括：在藍(lán)寶石襯底上外延生長(zhǎng)緩沖層；在緩沖層上外延生長(zhǎng)n型氮化鎵層；在n型氮化鎵層上外延生長(zhǎng)多量子阱層；在多量子阱層上從下至上依次外延生長(zhǎng)至少兩層隔離層；其中，所述至少兩層隔離層的生長(zhǎng)溫度按所述至少兩層隔離層從先到后的外延生長(zhǎng)順序逐漸增大；在最后外延生長(zhǎng)的隔離層上外延生長(zhǎng)p型氮化鎵層。通過使用本發(fā)明的LED外延片制備方法不僅能大大提高LED的發(fā)光效率，而且還能達(dá)到工藝步驟簡(jiǎn)單、成本低的目的。本發(fā)明作為一種提高發(fā)光效率的LED外延片制備方法可廣泛地應(yīng)用于LED領(lǐng)域中。 |
