一種斷電記憶電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120532302.9 申請日 -
公開（公告）號 CN214675106U 公開（公告）日 2021-11-09
申請公布號 CN214675106U 申請公布日 2021-11-09
分類號 H03K17/22（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 邢超;楊恩飛;劉萬斌 申請（專利權(quán)）人 山東飛越電子科技有限公司
代理機構(gòu) 濟南泉城專利商標事務(wù)所 代理人 支文彬
地址 250101山東省濟南市高新開發(fā)區(qū)飛躍大道2016號創(chuàng)新工場南鄰
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種斷電記憶電路，當直流電源輸入端斷電后，因為有電容Ⅶ的作用，這時電容Ⅶ開始向外放電，電量不斷下降，而穩(wěn)壓二極管的兩端電壓是一個穩(wěn)定的電壓值，電容Ⅶ剩余的某個電壓值減去穩(wěn)壓二極管兩端的電壓值，電阻Ⅵ兩端的電壓值不足以使三極管導(dǎo)通，三極管就由導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為截止狀態(tài)，這時電容Ⅲ開始釋放存儲的電能，二極管Ⅰ的負極電勢被3.3 V上拉為高電平，3.3V開始給MCU和EEPROM供電，將MCU中的數(shù)據(jù)及時存進EEPROM中。由于EEPROM是一種電可擦可編程只讀存儲器，因此數(shù)據(jù)可長期保存在內(nèi)部，不會丟失。此電路沒有備用電池組維護成本高以及包括鉛在內(nèi)的重金屬和磁記憶裝置可靠性差的缺點。