一種斷電記憶電路
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202120532302.9 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN214675106U | 公開(公告)日 | 2021-11-09 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN214675106U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-11-09 |
分類號(hào) | H03K17/22(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
發(fā)明人 | 邢超;楊恩飛;劉萬(wàn)斌 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 山東飛越電子科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 濟(jì)南泉城專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人 | 支文彬 |
地址 | 250101山東省濟(jì)南市高新開發(fā)區(qū)飛躍大道2016號(hào)創(chuàng)新工場(chǎng)南鄰 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種斷電記憶電路,當(dāng)直流電源輸入端斷電后,因?yàn)橛须娙茛鞯淖饔?,這時(shí)電容Ⅶ開始向外放電,電量不斷下降,而穩(wěn)壓二極管的兩端電壓是一個(gè)穩(wěn)定的電壓值,電容Ⅶ剩余的某個(gè)電壓值減去穩(wěn)壓二極管兩端的電壓值,電阻Ⅵ兩端的電壓值不足以使三極管導(dǎo)通,三極管就由導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為截止?fàn)顟B(tài),這時(shí)電容Ⅲ開始釋放存儲(chǔ)的電能,二極管Ⅰ的負(fù)極電勢(shì)被3.3 V上拉為高電平,3.3V開始給MCU和EEPROM供電,將MCU中的數(shù)據(jù)及時(shí)存進(jìn)EEPROM中。由于EEPROM是一種電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器,因此數(shù)據(jù)可長(zhǎng)期保存在內(nèi)部,不會(huì)丟失。此電路沒(méi)有備用電池組維護(hù)成本高以及包括鉛在內(nèi)的重金屬和磁記憶裝置可靠性差的缺點(diǎn)。 |
