一種用于單晶生產(chǎn)爐的熱屏結構及單晶生產(chǎn)爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010621640.X 申請日 -
公開（公告）號 CN111763985B 公開（公告）日 2021-10-19
申請公布號 CN111763985B 申請公布日 2021-10-19
分類號 C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 薛忠營;魏濤;魏星;栗展;劉赟;李名浩 申請（專利權）人 上海新昇半導體科技有限公司
代理機構 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 代理人 郝傳鑫;賈允
地址 200050上海市長寧區(qū)長寧路865號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于單晶生產(chǎn)爐的熱屏結構，所述熱屏結構用于設在所述單晶硅生長爐的熔體坩堝上部，所述熱屏結構包括外殼和隔熱板，所述隔熱板設于所述外殼的內(nèi)部，所述外殼底部外表面用于朝向所述熔體坩堝內(nèi)部，所述隔熱板所在平面與所述外殼底部所在平面形成的夾角為銳角且所述夾角朝向所述單晶硅的外表面。本發(fā)明的目的是提供一種用于單晶生產(chǎn)爐的熱屏結構及單晶生產(chǎn)爐，結構簡單，通過改變熱屏設計，增設隔熱板將吸熱板吸收到的熱量傳遞給單晶硅，在熱屏中形成熱通道，實現(xiàn)對單晶硅的徑向溫度梯度進行優(yōu)化，從而實現(xiàn)拉速的控制，進而提高單晶硅徑向的質(zhì)量均勻性。