一種半導(dǎo)體晶體生長方法和裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910357352.5 申請日 -
公開（公告）號 CN111850681B 公開（公告）日 2021-09-07
申請公布號 CN111850681B 申請公布日 2021-09-07
分類號 C30B15/20（2006.01）I;C30B15/02（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 沈偉民;王剛;黃瀚藝;劉赟 申請（專利權(quán)）人 上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 北京市磐華律師事務(wù)所 代理人 董巍;高偉
地址 201306上海市浦東新區(qū)臨港新城云水路1000號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體晶體生長方法和裝置。所述半導(dǎo)體晶體生長方法包括：獲取石墨坩堝在首次用于半導(dǎo)體晶體生長過程時的初始位置CP0；獲取所述石墨坩堝的當(dāng)前生產(chǎn)批次N，所述當(dāng)前生產(chǎn)批次N表征所述石墨坩堝當(dāng)前用來進行的半導(dǎo)體晶體生長過程的次數(shù)；根據(jù)所述當(dāng)前生產(chǎn)批次N在所述石墨坩堝內(nèi)套設(shè)的石英坩堝內(nèi)裝入多晶硅原料，其中，所述多晶硅原料的總重量稱為裝料量W（N），所述裝料量W（N）根據(jù)當(dāng)前生產(chǎn)批次N進行調(diào)整，以在保持所述石墨坩堝的初始位置CP0不變的同時，使所述石英坩堝內(nèi)硅熔體液面的初始位置保持穩(wěn)定。根據(jù)本發(fā)明，保證了拉晶過程中各參數(shù)的穩(wěn)定，提升了拉晶的速度和拉晶的質(zhì)量。