化學(xué)機械拋光方法以及化學(xué)拋光系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910182532.4 申請日 -
公開（公告）號 CN110193775B 公開（公告）日 2021-09-17
申請公布號 CN110193775B 申請公布日 2021-09-17
分類號 B24B37/005;B24B37/013;B24B37/08;B24B37/28;B24B37/34;B24B55/06;B24B49/02;H01L21/66;H01L21/67 分類 磨削；拋光;
發(fā)明人 吳恬辛 申請（專利權(quán)）人 上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉翔
地址 201306 上海市浦東新區(qū)泥城鎮(zhèn)云水路1000號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種化學(xué)機械拋光方法及化學(xué)機械拋光裝置，充分考慮了化學(xué)機械拋光裝置上的晶片載體隨著長時間使用而導(dǎo)致的厚度變化對半導(dǎo)體晶片的拋光效果的影響，在設(shè)定用于半導(dǎo)體晶片拋光的工藝參數(shù)之前，先測量晶片載體的厚度，并計算出測得的晶片載體的厚度與待拋光的半導(dǎo)體晶片在完成拋光后的目標厚度之間的差值(即晶片載體相對拋光后的半導(dǎo)體晶片的突出量或者拋光后的半導(dǎo)體晶片相對晶片載體的突出量)，然后根據(jù)該差值設(shè)定用于半導(dǎo)體晶片拋光的工藝參數(shù)，當采用這組與該差值相關(guān)的半導(dǎo)體晶片拋光的工藝參數(shù)對該半導(dǎo)體晶片進行拋光后，該半導(dǎo)體晶片最終拋光后的拋光面的平整度會增加，因而提高了拋光效果。