一種檢測半導(dǎo)體材料中缺陷的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110407842.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113394126A 公開（公告）日 2021-09-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN113394126A 申請(qǐng)公布日 2021-09-14
分類號(hào) H01L21/66（2006.01）I;H01L21/3065（2006.01）I;H01L21/311（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 薛忠營;劉赟;魏星 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京磐華捷成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 謝栒
地址 201306上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)云水路1000號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開了一種檢測半導(dǎo)體材料中缺陷的方法，所述方法包括：通過HF蝕刻液對(duì)半導(dǎo)體材料的表面進(jìn)行清洗，以去除所述半導(dǎo)體材料表面的氧化層；對(duì)去除所述氧化層的所述半導(dǎo)體材料進(jìn)行蝕刻，以顯現(xiàn)所述半導(dǎo)體材料中的缺陷；對(duì)蝕刻后的所述半導(dǎo)體材料的水平表面進(jìn)行光散射掃描，以確定所述半導(dǎo)體材料中存在的缺陷。在所述方法中先通過HF清洗去除半導(dǎo)體材料表面氧化層，然后再對(duì)所述半導(dǎo)體材料進(jìn)行蝕刻，以顯現(xiàn)半導(dǎo)體材料中的原生缺陷，通過所述方法可以探測到目前H2高溫烘焙中未被顯現(xiàn)的缺陷，半導(dǎo)體材料的區(qū)域缺陷密度大幅提高，可以提高氣相刻蝕方法的探測精度。