半導體激光器及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202210052411.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114400506A | 公開(公告)日 | 2022-04-26 |
申請公布號 | CN114400506A | 申請公布日 | 2022-04-26 |
分類號 | H01S5/343(2006.01)I;H01S5/183(2006.01)I;H01S5/30(2006.01)I;H01S5/34(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 李俁;杭青嶺;宋云鵬 | 申請(專利權)人 | 光為科技(廣州)有限公司 |
代理機構 | 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 | 代理人 | 王志 |
地址 | 510000廣東省廣州市黃埔區(qū)科豐路31號G7棟301房 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開一種半導體激光器,包括有源區(qū),所述有源區(qū)為包含銦鎵砷氮鉍材料的多量子阱結構,所述有源區(qū)的上方設置有相移結臺,所述相移結臺的厚度為所述λ為所述半導體激光器的波長,所述n為相移結臺的折射率,所述相移結臺的面積小于有源區(qū)的面積;所述相移結臺的周側設有阻擋層,所述阻擋層用于阻擋空穴穿過。本發(fā)明半導體激光器由于鉍元素的激活作用,在量子阱內確保氮元素以二維平面方式生長,從而延長激射波長至1550nm以上。另外,本發(fā)明半導體激光器通過設置相移結臺,在相移結臺周側設有阻擋層,可以有效阻擋空穴通過阻擋層,使得空穴僅從相移結臺穿過,大大減小了微分電阻,有效提高了能量轉換效率。 |
