半導體激光器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210052411.X 申請日 -
公開(公告)號 CN114400506A 公開(公告)日 2022-04-26
申請公布號 CN114400506A 申請公布日 2022-04-26
分類號 H01S5/343(2006.01)I;H01S5/183(2006.01)I;H01S5/30(2006.01)I;H01S5/34(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李俁;杭青嶺;宋云鵬 申請(專利權)人 光為科技(廣州)有限公司
代理機構 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 代理人 王志
地址 510000廣東省廣州市黃埔區(qū)科豐路31號G7棟301房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種半導體激光器,包括有源區(qū),所述有源區(qū)為包含銦鎵砷氮鉍材料的多量子阱結構,所述有源區(qū)的上方設置有相移結臺,所述相移結臺的厚度為所述λ為所述半導體激光器的波長,所述n為相移結臺的折射率,所述相移結臺的面積小于有源區(qū)的面積;所述相移結臺的周側設有阻擋層,所述阻擋層用于阻擋空穴穿過。本發(fā)明半導體激光器由于鉍元素的激活作用,在量子阱內確保氮元素以二維平面方式生長,從而延長激射波長至1550nm以上。另外,本發(fā)明半導體激光器通過設置相移結臺,在相移結臺周側設有阻擋層,可以有效阻擋空穴通過阻擋層,使得空穴僅從相移結臺穿過,大大減小了微分電阻,有效提高了能量轉換效率。