一種制備高品質(zhì)碳化硅晶體生長裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120505423.4 申請日 -
公開（公告）號 CN214830782U 公開（公告）日 2021-11-23
申請公布號 CN214830782U 申請公布日 2021-11-23
分類號 C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 高冰;李俊;葉宏亮 申請（專利權(quán)）人 浙江晶越半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州六方于義專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 施少鋒
地址 312451浙江省紹興市嵊州市浦口街道浦南大道368號9號廠房二樓202室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種制備高品質(zhì)碳化硅晶體生長裝置，包括用于碳化硅晶體生長的坩堝，坩堝的上部圍有上加熱結(jié)構(gòu)，坩堝的下部圍有下加熱結(jié)構(gòu)，上加熱結(jié)構(gòu)包括上部感應(yīng)線圈，下加熱結(jié)構(gòu)包括下部感應(yīng)線圈，上感應(yīng)線圈，上部感應(yīng)線圈的線圈直徑和匝數(shù)均大于下部感應(yīng)線圈的線圈直徑和匝數(shù)。為了滿足大尺寸晶體生長工藝溫度要求，通過使用上下2種不同規(guī)格線圈來控制長晶溫度，使坩堝上下具有均勻的橫向溫度及縱向溫度梯度，從而提高碳化硅晶體生長的穩(wěn)定性。