一種碳化硅研磨的裝置和方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111448410.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114012597A | 公開(公告)日 | 2022-02-08 |
申請公布號 | CN114012597A | 申請公布日 | 2022-02-08 |
分類號 | B24B37/10(2012.01)I;B24B37/34(2012.01)I;B24B55/03(2006.01)I;B24B1/00(2006.01)I;B08B3/02(2006.01)I | 分類 | 磨削;拋光; |
發(fā)明人 | 王越波;高冰 | 申請(專利權(quán))人 | 浙江晶越半導(dǎo)體有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 312400浙江省紹興市嵊州市浦口街道浦南大道368號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種碳化硅研磨的裝置和方法,其中研磨裝置,包括:工作臺;旋轉(zhuǎn)臺,設(shè)置在工作臺上;研磨盤,設(shè)置在旋轉(zhuǎn)臺上;吸附盤,設(shè)置在研磨盤上;第一清洗降溫裝置,設(shè)置在工作臺上,用來對研磨盤和真空吸附盤接觸部分的研磨區(qū)域進(jìn)行清洗和冷卻;第一清洗干燥裝置,可以活動的防止在工作臺上,以對研磨后的晶片背面進(jìn)行清洗干燥。本發(fā)明的第一清洗裝置有效的增強(qiáng)了研磨區(qū)域的清洗和冷卻效果同時減少了水資源的浪費,而且實現(xiàn)了在碳化硅晶片研磨的同時進(jìn)行清洗。 |
