一種高純半絕緣碳化硅粉料的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110257948.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113120909B 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN113120909B 申請公布日 2022-03-22
分類號 C01B32/984（2017.01）I 分類 無機化學;
發(fā)明人 高冰;李俊;葉宏亮 申請（專利權）人 浙江晶越半導體有限公司
代理機構 杭州六方于義專利代理事務所（普通合伙） 代理人 施少鋒
地址 312451浙江省紹興市嵊州市浦口街道浦南大道368號9號廠房二樓202室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高純半絕緣碳化硅粉料的制備方法，將高純硅粉及高純碳粉放入熱場內(nèi)進行兩個階段的高溫反應，熱場內(nèi)設置了一種可拆卸的卡槽式石墨內(nèi)置薄坩堝，為了提高石墨坩堝使用壽命以及方便于拆卸。本發(fā)明工序簡單，制備出的碳化硅粉料純度高，且顆粒度大小可控。