一種半導(dǎo)體功率器件用襯底硅片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200820208572.9 申請日 -
公開（公告）號 CN201332099Y 公開（公告）日 2009-10-21
申請公布號 CN201332099Y 申請公布日 2009-10-21
分類號 H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 邵光平 申請（專利權(quán)）人 上海富華微電子有限公司
代理機構(gòu) 上海京滬專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 沈美英
地址 200122上海市浦東新區(qū)東方路971號錢江大廈14樓H座
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種功率半導(dǎo)體器件用襯底硅片的制造工藝，特征在于在原始單晶片N-基片A的背面上刻蝕設(shè)置有深度為需要擴散的N+結(jié)深的二分之一、寬度及間距與需要擴散的N+結(jié)深相符的凹槽，由于凹槽的原因，在背面上實施擴散達到N+結(jié)深設(shè)計要求厚度N+層所需的時間比不帶凹槽時的時間相比可減少二分之一，相應(yīng)地在正面上形成的N+層厚度可以減薄二分之一，因而可以相應(yīng)地縮短擴散生成N+層的時間，節(jié)約去除正面N+層的加工時間，減薄所用原始單晶片的厚度，生產(chǎn)周期短且用料少，有利于降低生產(chǎn)成本、材料成本和提高生產(chǎn)率。