一種復(fù)合柵、柵源自隔離VDMOS、IGBT功率器件及其制造工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200710037558.7 申請日 -
公開（公告）號 CN101017849A 公開（公告）日 2007-08-15
申請公布號 CN101017849A 申請公布日 2007-08-15
分類號 H01L29/78(2006.01);H01L29/739(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/331(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 邵光平 申請（專利權(quán)）人 上海富華微電子有限公司
代理機構(gòu) 上海京滬專利代理事務(wù)所 代理人 上海富華微電子有限公司;吉林華微電子股份有限公司
地址 200122上海市浦東新區(qū)東方路971號錢江大廈14樓H座
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種復(fù)合柵、柵源自隔離VDMOS、IGBT功率器件及其制造工藝，屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域，特征在于在源區(qū)與多晶硅柵層之間除設(shè)置有熱氧化SiO2柵氧層外，還增加設(shè)置了Si3N4層，兩者結(jié)合構(gòu)成復(fù)合柵，有助于提高柵的成品率，且源柵隔離層采用在多晶硅柵層表面上直接熱氧化生成的工藝技術(shù)，利用Si3N4的氧化速度比多晶硅的氧化速度慢10倍以上、可以快速屏蔽柵區(qū)窗口、而在自身表面上只能生成便于去除的極薄氧化層的特點，有助于簡化制造工藝、實現(xiàn)柵源自隔離和確保隔離層的生成。與現(xiàn)有技術(shù)的同類功率器件及其制造工藝技術(shù)相比，具有結(jié)構(gòu)簡單、工序簡化，制造方便且成本低和產(chǎn)品質(zhì)量易保證等諸多優(yōu)點，具有很強的經(jīng)濟性和實用性。