一種復(fù)合柵、柵源自隔離VDMOS、IGBT功率器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200720067356.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN201017890Y 公開（公告）日 2008-02-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN201017890Y 申請(qǐng)公布日 2008-02-06
分類號(hào) H01L29/78(2006.01);H01L29/739(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 邵光平 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海富華微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海京滬專利代理事務(wù)所 代理人 上海富華微電子有限公司;吉林華微電子股份有限公司
地址 200122上海市浦東新區(qū)東方路971號(hào)錢江大廈14樓H座
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種復(fù)合柵、柵源自隔離VDMOS、IGBT功率器件，屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域，特征在于在源區(qū)與多晶硅柵層之間除設(shè)置有熱氧化SiO2柵氧層外，還增加設(shè)置了Si3N4層，兩者結(jié)合構(gòu)成復(fù)合柵，有助于提高柵的成品率，且源柵隔離層采用在多晶硅柵層表面上直接熱氧化生成的工藝技術(shù)，利用Si3N4的氧化速度比多晶硅的氧化速度慢10倍以上、可以快速屏蔽柵區(qū)窗口、而在自身表面上只能生成便于去除的極薄氧化層的特點(diǎn)，有助于簡(jiǎn)化制造工藝、實(shí)現(xiàn)柵源自隔離和確保隔離層的生成。與現(xiàn)有技術(shù)的同類功率器件及其制造工藝技術(shù)相比，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工序簡(jiǎn)化，制造方便且成本低和產(chǎn)品質(zhì)量易保證等諸多優(yōu)點(diǎn)，具有很強(qiáng)的經(jīng)濟(jì)性和實(shí)用性。