采用PSG摻雜技術(shù)的VDMOS、IGBT功率器件及其制造工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200710037559.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN100477270C 公開（公告）日 2009-04-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN100477270C 申請(qǐng)公布日 2009-04-08
分類號(hào) H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 邵光平 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海富華微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海京滬專利代理事務(wù)所 代理人 上海富華微電子有限公司;吉林華微電子股份有限公司
地址 200122上海市浦東新區(qū)東方路971號(hào)錢江大廈14樓H座
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種采用PSG摻雜技術(shù)的VDMOS、IGBT功率器件及其制造工藝，屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域，由金屬底層、N+襯底層(在IGBT功率器件中為P+襯底層)、N-外延層、P-區(qū)、P+區(qū)、N+區(qū)、熱氧化SiO2柵氧層、多晶硅柵層、源柵隔離層和金屬表層組成。由磷硅玻璃PSG層以單層的形式充任源柵隔離層，取代現(xiàn)有技術(shù)中由SiO2層和PSG層組合的結(jié)構(gòu)形式，且磷硅玻璃PSG層作為生成N+區(qū)時(shí)的摻雜源，利用其中的磷向硅中的擴(kuò)散形成N+區(qū)，從而有效減少了生產(chǎn)過程中光刻等處理的工序，既有利于降低生產(chǎn)成本、又有利于大幅度提高VDMOS、IGBT功率器件的工作可靠性，具有極強(qiáng)的實(shí)用性和經(jīng)濟(jì)性。