一種半導(dǎo)體功率器件用襯底硅片及其制造工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200810205212.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN101465290B 公開(kāi)（公告）日 2010-11-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN101465290B 申請(qǐng)公布日 2010-11-17
分類(lèi)號(hào) H01L21/02(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 王新;張華群 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 上海富華微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海京滬專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 上海富華微電子有限公司;吉林華微電子股份有限公司
地址 200122 上海市浦東新區(qū)東方路971號(hào)錢(qián)江大廈14樓H座
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種功率半導(dǎo)體器件用襯底硅片的制造工藝，特征在于在原始單晶片N-基片A的背面上刻蝕設(shè)置有深度為需要擴(kuò)散的N+結(jié)深的二分之一、寬度及間距與需要擴(kuò)散的N+結(jié)深相符的凹槽，由于凹槽的原因，在背面上實(shí)施擴(kuò)散達(dá)到N+結(jié)深設(shè)計(jì)要求厚度N+層所需的時(shí)間比不帶凹槽時(shí)的時(shí)間相比可減少二分之一，相應(yīng)地在正面上形成的N+層厚度可以減薄二分之一，因而可以相應(yīng)地縮短擴(kuò)散生成N+層的時(shí)間，節(jié)約去除正面N+層的加工時(shí)間，減薄所用原始單晶片的厚度，生產(chǎn)周期短且用料少，有利于降低生產(chǎn)成本、材料成本和提高生產(chǎn)率。