功率半導(dǎo)體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201820967474.7 申請日 -
公開（公告）號 CN208271906U 公開（公告）日 2018-12-21
申請公布號 CN208271906U 申請公布日 2018-12-21
分類號 H01L29/78;H01L23/552 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李述洲;王興龍;徐向濤;劉道廣;萬欣;晉虎 申請（專利權(quán)）人 嘉興奧羅拉電子科技有限公司
代理機構(gòu) 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 重慶平偉實業(yè)股份有限公司;嘉興奧羅拉電子科技有限公司
地址 405200 重慶市梁平縣梁平工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種功率半導(dǎo)體器件，包括：第一類型摻雜的半導(dǎo)體層；位于所述半導(dǎo)體層表面的柵極結(jié)構(gòu)；位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體層內(nèi)的第二類型摻雜的體區(qū)；位于所述體區(qū)之間的半導(dǎo)體層內(nèi)的載流子吸收區(qū)。所述功率半導(dǎo)體器件具有較高的抗SEGR能力。