一種功率半導(dǎo)體器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910156443.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109786472A 公開(kāi)（公告）日 2019-05-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN109786472A 申請(qǐng)公布日 2019-05-21
分類號(hào) H01L29/872（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L21/329（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李述洲; 晉虎; 孫永生; 高良 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 嘉興奧羅拉電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司; 嘉興奧羅拉電子科技有限公司
地址 405200 重慶市梁平區(qū)梁平工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種功率半導(dǎo)體器件，包括：襯底以及依次堆疊在所述襯底上的第一摻雜層、肖特基勢(shì)壘層、金屬層；所述第一摻雜層包括多個(gè)柵極，每個(gè)所述柵極的兩側(cè)均包括第二摻雜層，具有第二摻雜層的功率半導(dǎo)體器件的峰值電場(chǎng)強(qiáng)度較低，使得臺(tái)面的峰值電場(chǎng)值得以降低，因此能夠抑制所述功率半導(dǎo)體器件的反向漏電流；另一方面，所述功率半導(dǎo)體器件在承受大電流沖擊的過(guò)程中，第二摻雜層與第一摻雜層形成的PN結(jié)將導(dǎo)通，與肖特基勢(shì)壘層相比，第二摻雜層能夠承受更大的正向電流密度，因此能夠承受更大的電流浪涌沖擊，提高所述功率半導(dǎo)體器件的性能、使用可靠性以及使用壽命。