功率半導體器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910068469.1 申請日 -
公開（公告）號 CN109830440A 公開（公告）日 2019-05-31
申請公布號 CN109830440A 申請公布日 2019-05-31
分類號 H01L21/336（2006.01）I; H01L21/285（2006.01）I; H01L29/78（2006.01）I; H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李述洲; 李豪; 高良; 萬欣 申請（專利權）人 嘉興奧羅拉電子科技有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 重慶平偉實業(yè)股份有限公司; 嘉興奧羅拉電子科技有限公司; 浙江清華長三角研究院
地址 405200 重慶市梁平縣梁平工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種功率半導體器件及其制造方法，先在硅襯底表面用高溫過程形成體區(qū)、源區(qū)，并在柵氧化層形成前先在硅襯底表面形成氮氧化硅層，形成氮氧化硅?硅界面，能夠減少氧化層缺陷、界面陷阱，降低器件在輻射條件下失效的幾率，提高形成的半導體器件抗輻射總劑量效應的性能。