功率半導(dǎo)體器件及其形成方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010697369.8 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111785784A | 公開（公告）日 | 2020-10-16 |
| 申請公布號(hào) | CN111785784A | 申請公布日 | 2020-10-16 |
| 分類號(hào) | H01L29/78(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 晉虎 | 申請（專利權(quán)）人 | 嘉興奧羅拉電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市嘉勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 嘉興奧羅拉電子科技有限公司 |
| 地址 | 314000浙江省嘉興市南湖區(qū)亞太路705號(hào)創(chuàng)新大廈A座1613室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請公開一種功率半導(dǎo)體器件及其形成方法，所述功率半導(dǎo)體器件的形成方法包括：提供第一類型摻雜的襯底；在所述襯底表面形成具有第一開口的第一圖形化掩膜層；沿所述第一開口對(duì)所述襯底進(jìn)行第一離子注入及擴(kuò)散處理，形成第二類型摻雜的體區(qū)；在所述第一開口內(nèi)形成第二圖形化掩膜層，所述第二圖形化掩膜層與兩側(cè)的第一圖形化掩膜層之間具有第二開口；沿所述第二開口對(duì)所述襯底進(jìn)行第二離子注入及擴(kuò)散處理，形成位于所述體區(qū)內(nèi)第一類型摻雜區(qū)。上述方法形成的功率半導(dǎo)體器件的閾值電壓一致性和均勻性更好。?? |
