功率半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811544082.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109786465A 公開（公告）日 2019-05-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN109786465A 申請(qǐng)公布日 2019-05-21
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李述洲; 孫永生; 萬欣; 晉虎; 高良 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 嘉興奧羅拉電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司; 嘉興奧羅拉電子科技有限公司
地址 405200 重慶市梁平區(qū)梁平工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種功率半導(dǎo)體器件及其制造方法，包括半導(dǎo)體層、體區(qū)、源區(qū)、載流子吸收區(qū)、柵極機(jī)構(gòu)及及導(dǎo)體連接結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)體連接結(jié)構(gòu)分別與所述載流子吸收區(qū)和所述源區(qū)接觸，使所述載流子吸收區(qū)與所述源區(qū)電連接。本發(fā)明還公開了一種半導(dǎo)體器件的制造方法。本發(fā)明的功率半導(dǎo)體器件及其制造方法可提高功率半導(dǎo)體器件的抵抗單粒子燒毀效應(yīng)(Single Event Burnout，SEB)及單粒子?xùn)糯┬?yīng)(Single Event Gate Rupture，SGER)的能力。