一種功率半導體器件制造方法及功率半導體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910157115.4 申請日 -
公開（公告）號 CN109768092A 公開（公告）日 2019-05-17
申請公布號 CN109768092A 申請公布日 2019-05-17
分類號 H01L29/872（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L21/329（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李述洲; 晉虎; 李豪; 萬欣 申請（專利權(quán)）人 嘉興奧羅拉電子科技有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 重慶平偉實業(yè)股份有限公司; 嘉興奧羅拉電子科技有限公司
地址 405200 重慶市梁平縣梁平工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種功率半導體器件制造方法，包括：提供襯底及第一摻雜層，在所述第一摻雜層表面進行摻雜并形成第二摻雜層；在所述第二摻雜層上進行刻蝕并形成器件溝槽；在所述器件溝槽內(nèi)堆疊柵極；以及在所述第一摻雜層上堆疊肖特基勢壘層以及金屬層；在不改變掩模版或者光刻膠位置以及不改變制程過程中光刻次數(shù)的情況下進行第二摻雜層摻雜，并形成PN結(jié)，降低了工藝難度，提高良品率；具有第二摻雜層的功率半導體器件的峰值電場強度較低，因此能夠抑制所述功率半導體器件的反向漏電流；而且第二摻雜層與第一摻雜層形成的PN結(jié)將導通，能夠承受更大的電流浪涌沖擊，提高所述功率半導體器件的性能、使用可靠性以及使用壽命。