一種高效硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110175285.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112802910A 公開（公告）日 2021-05-14
申請公布號 CN112802910A 申請公布日 2021-05-14
分類號 H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/18;H01L31/20 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王錦樂;肖俊峰 申請（專利權(quán)）人 通威太陽能（眉山）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 安徽知問律師事務(wù)所 代理人 平靜;王澤洋
地址 610000 四川省成都市雙流區(qū)西南航空港經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)工業(yè)集中發(fā)展區(qū)六期內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高效硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制備方法，屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的電池N型晶體硅片的正面依次設(shè)置薄層SiO2層、氫化非晶碳氧化硅薄膜層、C摻雜SiO2層、非晶硅摻雜N型層、TCO導(dǎo)電層和電極；背面依次設(shè)置薄層SiO2層、氫化非晶碳氧化硅薄膜層、C摻雜SiO2層、非晶硅摻雜P型層、TCO導(dǎo)電層和電極。非晶硅摻雜P型層包括輕摻B非晶硅層和重?fù)紹非晶硅層。本發(fā)明以氫化非晶碳氧化硅薄膜作為本征鈍化層的異質(zhì)結(jié)太陽電池，實(shí)現(xiàn)對晶硅表面優(yōu)良的鈍化效果，減少界面載流子復(fù)合；同時采用改進(jìn)的雙擴(kuò)B工藝，防止B2H6摻雜時B原子向本征非晶硅層擴(kuò)散帶來的禁帶寬度的降低和不必要的鈍化膜摻雜，提升硅異質(zhì)結(jié)電池的轉(zhuǎn)換效率。