雙極型薄膜晶體管及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110430883.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103178117A 公開（公告）日 2013-06-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN103178117A 申請(qǐng)公布日 2013-06-26
分類號(hào) H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 洪飛;申劍鋒;郭曉東;譚莉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海中科聯(lián)和顯示技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 隆天國際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 姜燕;鄭特強(qiáng)
地址 201203 上海市浦東新區(qū)碧波路572弄115號(hào)12幢2樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種雙極型薄膜晶體管及其制造方法，該薄膜晶體管包括：基板；第一半導(dǎo)體層，形成在基板上；層疊源極和層疊漏極，形成在第一半導(dǎo)體層上；層疊源極包括層疊的第一源極和第二源極，層疊漏極包括層疊的第一漏極和第二漏極；第二半導(dǎo)體層，導(dǎo)電類型與第一半導(dǎo)體層不同，形成在層疊源極和層疊漏極上以及層疊源極和層疊漏極之間；第一源極和第一漏極所用材料的功函數(shù)與第一半導(dǎo)體層的導(dǎo)電類型相匹配以降低電子或空穴注入的勢(shì)壘；第二源極和第二漏極所用材料的功函數(shù)與第二半導(dǎo)體層的導(dǎo)電類型相匹配以降低電子或空穴注入的勢(shì)壘；還包括：柵極和柵絕緣層。本發(fā)明提供的器件及方法解決了雙極型TFT中電子和空穴傳輸不平衡的問題。