場(chǎng)效應(yīng)晶體管互補(bǔ)反相器及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110440844.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103178060A 公開(kāi)（公告）日 2013-06-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN103178060A 申請(qǐng)公布日 2013-06-26
分類(lèi)號(hào) H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 洪飛;張其國(guó);譚莉;郭曉東;申劍鋒 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 上海中科聯(lián)和顯示技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳世華;張龍哺
地址 201203 上海市浦東新區(qū)碧波路572弄115號(hào)12幢2樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管互補(bǔ)反相器，包括：基板、N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、與該N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管成對(duì)設(shè)置的P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管共用一個(gè)柵電極并作為該互補(bǔ)反相器的輸入端，該N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極和P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極連接作為該互補(bǔ)反相器的輸出端；該基板上設(shè)有多個(gè)垂直分布的器件層，該N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管分別位于不同的器件層。采用了上述結(jié)構(gòu)的互補(bǔ)反相器進(jìn)一步降低了互補(bǔ)反相器的占用面積，從而可以提高集成電路的集成度。本發(fā)明還公開(kāi)了一種制備場(chǎng)效應(yīng)晶體管互補(bǔ)反相器的方法。