一種多芯片三維集成扇出型封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111525069.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114141727A 公開（公告）日 2022-03-04
申請公布號 CN114141727A 申請公布日 2022-03-04
分類號 H01L23/31（2006.01）I;H01L23/495（2006.01）I;H01L23/498（2006.01）I;H01L23/522（2006.01）I;H01L23/528（2006.01）I;H01L25/065（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L21/54（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉吉康;馬書英;王姣 申請（專利權(quán)）人 華天科技（昆山）電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州國誠專利代理有限公司 代理人 李小葉
地址 215300江蘇省蘇州市昆山市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)龍騰路112號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種多芯片三維集成扇出型封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，該封裝結(jié)構(gòu)包括載板和基板；載板上埋設(shè)有第一芯片，第一芯片和載板上覆蓋有第一鈍化膜層，第一鈍化膜層上設(shè)有與第一芯片電連接的第一金屬再布線層；第一金屬再布線層上設(shè)有復(fù)合塑封結(jié)構(gòu)；復(fù)合塑封結(jié)構(gòu)中設(shè)有第二芯片；復(fù)合塑封結(jié)構(gòu)上設(shè)有與第二芯片以及第一金屬再布線層電連接的第二金屬再布線層；第二金屬再布線層上覆蓋有第三鈍化膜層；第三鈍化膜層上設(shè)有第一信號導(dǎo)出結(jié)構(gòu)；基板上設(shè)有第二信號導(dǎo)出結(jié)構(gòu)以及第三金屬再布線層；第一信號導(dǎo)出結(jié)構(gòu)與基板的第三金屬再布線層電連接。該封裝結(jié)構(gòu)采用一個硅基載板實(shí)現(xiàn)兩層芯片的互聯(lián)封裝，降低了封裝成本，可以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。