一種全環(huán)繞多通道漂移區(qū)橫向功率器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111458096.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113871489A 公開（公告）日 2021-12-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN113871489A 申請(qǐng)公布日 2021-12-31
分類號(hào) H01L29/861（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姚佳飛;許天賜;郭宇鋒;李曼;劉鑫;孫銘順 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京郵電大學(xué)南通研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 石艷紅
地址 210023江蘇省南京市棲霞區(qū)仙林街道文苑路9號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種全環(huán)繞多通道漂移區(qū)橫向功率器件及其制造方法，包括從下至上依次疊設(shè)的半導(dǎo)體襯底、埋層和有源區(qū)；有源區(qū)包括半導(dǎo)體漂移區(qū)、P型半導(dǎo)體區(qū)和N型半導(dǎo)體區(qū)；半導(dǎo)體漂移區(qū)包括介質(zhì)層和內(nèi)置在介質(zhì)層中的若干個(gè)半導(dǎo)體通道。本發(fā)明通過(guò)在半導(dǎo)體通道四周填充高介電常數(shù)介質(zhì)材料，形成全環(huán)繞多通道漂移區(qū)結(jié)構(gòu)。全環(huán)繞介質(zhì)從四個(gè)方向?qū)ζ茀^(qū)中的半導(dǎo)體通道進(jìn)行調(diào)制，使漂移區(qū)電勢(shì)分布更加均勻、有效提升漂移區(qū)橫向電場(chǎng)、器件縱向電場(chǎng)和器件擊穿電壓；多通道結(jié)構(gòu)進(jìn)一步增加高介電常數(shù)介質(zhì)的調(diào)制面積，同時(shí)高介電常數(shù)介質(zhì)有助于提高漂移區(qū)摻雜濃度，降低導(dǎo)通電阻；本發(fā)明不僅適用于硅基功率器件，也適用于寬禁帶半導(dǎo)體功率器件。