一種藍光/紅光雙色LED芯片封裝結構及制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010075461.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111261764B | 公開(公告)日 | 2021-10-15 |
申請公布號 | CN111261764B | 申請公布日 | 2021-10-15 |
分類號 | H01L33/50(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;A01G7/04(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 劉新科;羅江流;賁建偉;賀威 | 申請(專利權)人 | 山西穿越光電科技有限責任公司 |
代理機構 | 北京三聚陽光知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人 | 張琳琳 |
地址 | 044599 山西省運城市永濟市城東街道循環(huán)經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)園區(qū) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種藍光/紅光雙色LED芯片封裝結構及制備方法,其中封裝結構包括:襯底;LED外延片,生成于所述襯底的表面;MoS2發(fā)光涂層,沉積于所述LED外延片表面或LED發(fā)光窗口上,所述MoS2發(fā)光涂層用于將藍光轉(zhuǎn)換成紅光。本發(fā)明在LED外延片表面或LED發(fā)光窗口上沉積MoS2發(fā)光涂層,利用MoS2發(fā)光涂層將部分LED外延片發(fā)出的藍光轉(zhuǎn)換為紅光,由于MoS2材料特定的禁帶寬度以及良好的透光性,極大的降低了光子在吸收轉(zhuǎn)換過程中的損失,使器件發(fā)光全部處于植物高效吸收范圍內(nèi),節(jié)省能源。 |
