一種氮化鎵器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210332936.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114695541A | 公開（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114695541A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-01 |
| 分類號(hào) | H01L29/45（2006.01）I;H01L29/47（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張?jiān)?孫志偉;王惟生;王超;趙胤超;劉雯 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 西交利物浦大學(xué) |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州謹(jǐn)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 215123江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)獨(dú)墅湖高等教育區(qū)仁愛路111號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種氮化鎵器件，包括：氮化鎵層；鋁鎵氮層，形成于所述氮化鎵層上方；源極、柵極和漏極，彼此間隔形成于所述鋁鎵氮層上方；其中，所述漏極包括A電極、B電極和C區(qū)域，所述C區(qū)域形成于所述鋁鎵氮層上方，所述B電極形成于所述鋁鎵氮層上方并在水平方向與所述C區(qū)域接觸，所述A電極形成于所述C區(qū)域上方并在豎直方向與所述C區(qū)域接觸，所述C區(qū)域由P型氧化物構(gòu)成，所述A電極和B電極由高功函數(shù)金屬構(gòu)成。本發(fā)明的氮化鎵器件通過使得漏極或者是陽極形成混合電極，一方面，C區(qū)域會(huì)抑制下方的二維電子氣（2DEG），改善電場分布；另一方面，C區(qū)域和A電極形成的混合電極具有PN結(jié)特性，對(duì)于反向擊穿有較好的提升。 |
