一種氮化鎵襯底上反相器和環(huán)形振蕩器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202220394893.2 申請日 -
公開（公告）號 CN216773248U 公開（公告）日 2022-06-17
申請公布號 CN216773248U 申請公布日 2022-06-17
分類號 H01L27/085（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 梁燁;張元雷;朱昱豪;劉雯 申請（專利權(quán)）人 西交利物浦大學(xué)
代理機(jī)構(gòu) 蘇州謹(jǐn)和知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 215123江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)獨(dú)墅湖高等教育區(qū)仁愛路111號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種氮化鎵襯底上反相器和環(huán)形振蕩器，包括：Si襯底；GaN緩沖層，形成于所述Si襯底上；GaN溝道層，形成于所述GaN緩沖層上；AlGaN勢壘層，形成于所述GaN溝道層上；E?mode器件和D?mode器件，形成于所述AlGaN勢壘層上，所述E?mode器件和所述D?mode器件的源極和漏極區(qū)域濺射Ti/Al/Ni/Au或Ti/Al/Ni/TiN或Ti/Al/W或Ti/Al/Ni/W的金屬組合，所述D?mode器件的有源區(qū)上覆蓋耐高溫掩膜；電荷隧穿層，形成于所述E?mode器件和D?mode器件上；電荷儲存層，形成于所述電荷隧穿層上；電荷阻擋層，形成于所述電荷儲存層上。本實用新型的氮化鎵襯底上反相器和環(huán)形振蕩器，運(yùn)用電荷儲存層實現(xiàn)E?mode器件的方式，提出了一種在氮化鎵襯底上用直接耦合場效應(yīng)邏輯實現(xiàn)反相器和環(huán)形振蕩電路的全新策略。