一種氮化鎵襯底上反相器和環(huán)形振蕩器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202220394893.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN216773248U | 公開（公告）日 | 2022-06-17 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN216773248U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-06-17 |
| 分類號(hào) | H01L27/085（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 梁燁;張?jiān)?朱昱豪;劉雯 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 西交利物浦大學(xué) |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州謹(jǐn)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 215123江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)獨(dú)墅湖高等教育區(qū)仁愛路111號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種氮化鎵襯底上反相器和環(huán)形振蕩器，包括：Si襯底；GaN緩沖層，形成于所述Si襯底上；GaN溝道層，形成于所述GaN緩沖層上；AlGaN勢(shì)壘層，形成于所述GaN溝道層上；E?mode器件和D?mode器件，形成于所述AlGaN勢(shì)壘層上，所述E?mode器件和所述D?mode器件的源極和漏極區(qū)域?yàn)R射Ti/Al/Ni/Au或Ti/Al/Ni/TiN或Ti/Al/W或Ti/Al/Ni/W的金屬組合，所述D?mode器件的有源區(qū)上覆蓋耐高溫掩膜；電荷隧穿層，形成于所述E?mode器件和D?mode器件上；電荷儲(chǔ)存層，形成于所述電荷隧穿層上；電荷阻擋層，形成于所述電荷儲(chǔ)存層上。本實(shí)用新型的氮化鎵襯底上反相器和環(huán)形振蕩器，運(yùn)用電荷儲(chǔ)存層實(shí)現(xiàn)E?mode器件的方式，提出了一種在氮化鎵襯底上用直接耦合場(chǎng)效應(yīng)邏輯實(shí)現(xiàn)反相器和環(huán)形振蕩電路的全新策略。 |
