一種含有N型和P型溝道氮化鎵器件的互補(bǔ)型邏輯電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202220442646.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN216849943U 公開(kāi)（公告）日 2022-06-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN216849943U 申請(qǐng)公布日 2022-06-28
分類號(hào) H01L27/092（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L21/8238（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張?jiān)?王玉叢;孫志偉;王惟生;趙胤超;劉雯 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西交利物浦大學(xué)
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 -
地址 215123江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)獨(dú)墅湖高等教育區(qū)仁愛(ài)路111號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種含有N型和P型溝道氮化鎵器件的互補(bǔ)型邏輯電路。該互補(bǔ)型邏輯電路包括氮化鎵襯底，氮化鎵襯底包括N區(qū)，N型溝道氮化鎵增強(qiáng)型器件位于N區(qū)；N型溝道氮化鎵增強(qiáng)型器件包括位于N區(qū)的氮化鎵襯底、第一氮化鎵鋁緩沖層、第一P型氮化鎵層、第一柵極、第一源極和第一漏極；第一氮化鎵鋁緩沖層包括中間區(qū)域和包圍中間區(qū)域的歐姆接觸區(qū)；第一P型氮化鎵層包括二維電子氣抑制區(qū)和高阻摻雜溝道區(qū)，高阻摻雜溝道區(qū)的電阻率大于二維電子氣抑制區(qū)的電阻率；互連結(jié)構(gòu)用于連接N型溝道氮化鎵增強(qiáng)型器件和P型溝道氮化鎵增強(qiáng)型器件。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)了一種增強(qiáng)型的含有N型和P型溝道氮化鎵器件的互補(bǔ)型邏輯電路。