一種高通量磁控濺射納米薄膜器件一體化制備裝置
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201911096819.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN110777344B | 公開（公告）日 | 2021-07-06 |
| 申請公布號 | CN110777344B | 申請公布日 | 2021-07-06 |
| 分類號 | C23C14/35;C23C14/50;C23C14/54;B82Y40/00 | 分類 | 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 刁訓(xùn)剛;秦建平;刁詩如 | 申請（專利權(quán)）人 | 納能鍍膜丹陽有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京領(lǐng)科知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 艾變開 |
| 地址 | 212300 江蘇省鎮(zhèn)江市丹陽市云陽鎮(zhèn)南三環(huán)路科創(chuàng)園C3樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種高通量磁控濺射納米薄膜器件一體化制備裝置，包括主機(jī)、真空抽氣裝置、電源及控制系統(tǒng)和機(jī)柜，主機(jī)包括工作腔室、樣品架、五個(gè)磁控靶和樣品擋板，五個(gè)磁控靶傾斜地環(huán)繞在工作腔室頂部，實(shí)現(xiàn)共濺射或依次濺射；每個(gè)磁控靶配有一個(gè)靶擋板，靶擋板通過收縮開合臨時(shí)遮擋對應(yīng)磁控靶；樣品架設(shè)置在磁控靶的下方，樣品架頂部設(shè)有樣品罩，樣品罩具有多個(gè)樣品通孔，用于高通量制備多組份混合納米薄膜和納米多層功能薄膜器件。樣品擋板設(shè)在樣品罩的上方。鍍膜制備裝置的磁控靶的設(shè)計(jì)充分利用了工作腔室內(nèi)部的空間，能夠?qū)崿F(xiàn)共濺射或依次濺射鍍膜。樣品罩具有不少于100個(gè)樣品通孔，能夠單次同時(shí)制備上百個(gè)同樣的樣品，為材料基因組高通量鍍膜提供可能。 |
